Influence d'oxydation thermique classique sèche (C.D.TO) sur les profils SIMS de dopage et la diffusivité du dopant dans les films Si-LPCVD fortement dopés in-situ au bore.

dc.contributor.author	Ait-Kaki Abdelaziz
dc.contributor.author	Boukezzata Messaoud
dc.date.accessioned	2022-05-24T09:58:12Z
dc.date.available	2022-05-24T09:58:12Z
dc.date.issued	2017-01-01
dc.identifier.uri	http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/6001
dc.description	86 p.
dc.language.iso	fre
dc.publisher	Université Frères Mentouri - Constantine 1
dc.subject	Electronique
dc.title	Influence d'oxydation thermique classique sèche (C.D.TO) sur les profils SIMS de dopage et la diffusivité du dopant dans les films Si-LPCVD fortement dopés in-situ au bore.