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Modèlisation des transistors à effet de champ à dopage modulé

Modèlisation des transistors à effet de champ à dopage modulé

Title: Modèlisation des transistors à effet de champ à dopage modulé;
Performances physiques et potentielles des hétérostructures (HEMTs) à gaz bidimensionnel à très haute mobilité éléctronique
Marir-benabbas Mimia; Baudrand H.
URI: http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/5514
Date: 2017-01-01

Description:

Non paginée

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