Modèlisation des transistors à effet de champ à dopage modulé

dc.contributor.author	Marir-benabbas Mimia
dc.contributor.author	Baudrand H.
dc.date.accessioned	2022-05-24T09:45:20Z
dc.date.available	2022-05-24T09:45:20Z
dc.date.issued	2017-01-01
dc.identifier.uri	http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/5514
dc.description	Non paginée
dc.language.iso	fre
dc.subject	Electronique
dc.title	Modèlisation des transistors à effet de champ à dopage modulé
dc.title	Performances physiques et potentielles des hétérostructures (HEMTs) à gaz bidimensionnel à très haute mobilité éléctronique
dc.coverage	01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale

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