Etude par simulation des phénomènes de polarisations et les contacts ohmiques dans les transistors HEMTS base de GAN

dc.contributor.author	Djimli Chahrazed
dc.contributor.author	Telia A.
dc.date.accessioned	2022-05-24T09:56:20Z
dc.date.available	2022-05-24T09:56:20Z
dc.date.issued	2017-01-01
dc.identifier.uri	http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/5911
dc.description	64 f.
dc.language.iso	fre
dc.subject	Electronique
dc.title	Etude par simulation des phénomènes de polarisations et les contacts ohmiques dans les transistors HEMTS base de GAN
dc.coverage	01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale 01 CD