Etude des propriétés de couches minces de silicium dopé azote obtenues par LPCVD et implantées au bore pour grille polycilicium de transistors MOS

dc.contributor.author	Mansour F.
dc.contributor.author	Bouridah Hachemi
dc.date.accessioned	2022-05-24T09:46:04Z
dc.date.available	2022-05-24T09:46:04Z
dc.date.issued	2017-01-01
dc.identifier.uri	http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/5570
dc.description	177 f.
dc.language.iso	fre
dc.subject	Electronique
dc.title	Etude des propriétés de couches minces de silicium dopé azote obtenues par LPCVD et implantées au bore pour grille polycilicium de transistors MOS
dc.coverage	01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale