Abstract:
Les travaux de recherche se sont orientés vers les semi-conducteur III-V, nous nous somme intéressé plus précisément aux deux systèmes GaAs et InAs, car ces derniers présentent des propriétés intéressantes commela haute mobilité des électrons [1]. Ces systèmes jouent un rôle majeur pour des applications dans le domaine de l’électronique qui englobe l’hyperfréquence, l'optoélectronique, la micro-électronique.Dans cette étude, on s’intéresse à la compréhension des phénomènes ce qui se passe au niveau de l’interface du métal/semi-conducteurs III-V, on se limite de étudier le système Ni/GaAs.Pour cela on a effectué des mesures de diffraction des rayons X couplées avec des recuits in-situ, avec des paliers en température et ex-situ pour différentes épaisseurs de la couche de Nickelde 20 à 500nm. Lors du recuit l'interaction entre la couche de Ni et le substrat binaire GaAs se fait immédiatement et les premiers résultats nous orientent vers la formation du composé ternaire Ni3GaAs [2,3,4].
Les mesures in-situ nous donnent des résultats intéressants sur l'évolution de l'interface, ils doivent être complétés par des caractérisations en microscopie électronique à balayage MEB prévues en octobre pour observer les différentes couches qui se forment à l’interface mesurer leurs épaisseurs
