Abstract:
Les atouts principaux de l'énergie solaire sont une réserve quasi-inépuisable à notre échelle, ainsi que son
accessibilité géographique, en dépit de son intermittence. Le solaire photovoltaïque (PV), dont la recherche a
débuté dans les années 1950, est l'une des techniques les plus prometteuses pour récupérer cette énergie. Celle-ci
a connu de nombreux développements et plusieurs technologies ont émergé à ce jour. Parmi les différentes
technologies photovoltaïques, les cellules en couches minces présentent des avantages significatifs.
L'étude proposée concerne l'optimisation du rendement des cellules solaires à base de silicium amorphe a-Si en
fonction du dopage de différentes couches des cellules. Et aussi voir l'influence de ce dernier sur les paramètres
caractéristiques de nos deux cellules telle que le courant de court-circuit Icc, la tension en circuit ouvert Vco, le
facteur de forme FF et le rendement de conversion PV (η) avec un éclairement de 1000w/m2 et une température
de 300°K. Il nous a donné un rendement de 30.987% de la cellule double jonction GaAs/a-Si par rapport à la
mono jonction a-Si qui est de 24.590% pour une valeur du dopage de 3E18 cm3
