Dépôt institutionnel de l'universite Freres Mentouri Constantine 1
Simulation du transistor à effet de champ à grille Schottky à l'arseniure de gallium MESFET GaAs
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| dc.contributor.author | Belhour Souad | |
| dc.contributor.author | Kenzai C. | |
| dc.date.accessioned | 2022-05-25T09:08:50Z | |
| dc.date.available | 2022-05-25T09:08:50Z | |
| dc.date.issued | 2017-01-01 | |
| dc.identifier.uri | http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/9725 | |
| dc.description | 72 f. | |
| dc.language.iso | fre | |
| dc.subject | Physique | |
| dc.title | Simulation du transistor à effet de champ à grille Schottky à l'arseniure de gallium MESFET GaAs | |
| dc.coverage | 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD |
