Simulation du transistor à effet de champ à grille Schottky à l'arseniure de gallium MESFET GaAs

dc.contributor.author	Belhour Souad
dc.contributor.author	Kenzai C.
dc.date.accessioned	2022-05-25T09:08:50Z
dc.date.available	2022-05-25T09:08:50Z
dc.date.issued	2017-01-01
dc.identifier.uri	http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/9725
dc.description	72 f.
dc.language.iso	fre
dc.subject	Physique
dc.title	Simulation du transistor à effet de champ à grille Schottky à l'arseniure de gallium MESFET GaAs
dc.coverage	01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD