Dépôt institutionnel de l'universite Freres Mentouri Constantine 1

Modélisation de l'hétérostructure HFET AiGaN/GaN incluant les éffets électriques

Afficher la notice abrégée

dc.contributor.author Telia A.
dc.contributor.author Djefdjouf Fatiha
dc.date.accessioned 2022-05-24T09:57:26Z
dc.date.available 2022-05-24T09:57:26Z
dc.date.issued 2017-01-01
dc.identifier.uri http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/5966
dc.description 73 f.
dc.language.iso fre
dc.subject Electronique
dc.title Modélisation de l'hétérostructure HFET AiGaN/GaN incluant les éffets électriques
dc.coverage 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD


Fichier(s) constituant ce document

Ce document figure dans la(les) collection(s) suivante(s)

Afficher la notice abrégée

Chercher dans le dépôt


Parcourir

Mon compte