Dépôt institutionnel de l'universite Freres Mentouri Constantine 1
Etude de l'influence des défaults technologiques sur les caractéristiques électriques des transistors bipolaires à HBT
- Accueil de DSpace
- →
- Thèses et Mémoires
- →
- Faculté des Sciences de la technologie
- →
- Electronique
- →
- Magistère (Electronique)
- →
- Voir le document
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Bouhouche Manel | |
| dc.contributor.author | Latreche S. | |
| dc.date.accessioned | 2022-05-24T09:56:53Z | |
| dc.date.available | 2022-05-24T09:56:53Z | |
| dc.date.issued | 2017-01-01 | |
| dc.identifier.uri | http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/5934 | |
| dc.description | 83 f. | |
| dc.language.iso | fre | |
| dc.subject | Electronique | |
| dc.title | Etude de l'influence des défaults technologiques sur les caractéristiques électriques des transistors bipolaires à HBT | |
| dc.coverage | 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD |
