Etude de l'influence des défaults technologiques sur les caractéristiques électriques des transistors bipolaires à HBT

dc.contributor.author	Bouhouche Manel
dc.contributor.author	Latreche S.
dc.date.accessioned	2022-05-24T09:56:53Z
dc.date.available	2022-05-24T09:56:53Z
dc.date.issued	2017-01-01
dc.identifier.uri	http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/5934
dc.description	83 f.
dc.language.iso	fre
dc.subject	Electronique
dc.title	Etude de l'influence des défaults technologiques sur les caractéristiques électriques des transistors bipolaires à HBT
dc.coverage	01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD