Etude des effets du Field plate sur les caractéristiques électriques des transistors HEMTs à base de GaN

dc.contributor.author	Kaddeche Mourad
dc.contributor.author	Telia A.
dc.date.accessioned	2022-05-24T09:55:28Z
dc.date.available	2022-05-24T09:55:28Z
dc.date.issued	2017-01-01
dc.identifier.uri	http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/5859
dc.description	63 f.
dc.language.iso	fre
dc.subject	Electronique
dc.title	Etude des effets du Field plate sur les caractéristiques électriques des transistors HEMTs à base de GaN
dc.coverage	01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD