Contribution à l'étude des propriétés statiques du transistor à effet de champ à grille schottky à l'arseniure de gallium

dc.contributor.author	Belhatem Abdelhadi
dc.contributor.author	Kenzai C.
dc.date.accessioned	2022-05-24T09:55:15Z
dc.date.available	2022-05-24T09:55:15Z
dc.date.issued	2017-01-01
dc.identifier.uri	http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/5847
dc.description	120 f.
dc.language.iso	fre
dc.subject	Electronique
dc.title	Contribution à l'étude des propriétés statiques du transistor à effet de champ à grille schottky à l'arseniure de gallium
dc.coverage	3 Disponibles au magasin de la bibliothèque universitaire