Modélisation des mécanismes de dégradation de l'interface Si/SiO2 des transistors MOS

dc.contributor.author	Mahamdi Ramdane
dc.contributor.author	Djahèi F.
dc.date.accessioned	2022-05-24T09:54:37Z
dc.date.available	2022-05-24T09:54:37Z
dc.date.issued	2017-01-01
dc.identifier.uri	http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/5811
dc.description	120 f.
dc.language.iso	fre
dc.subject	Electronique
dc.title	Modélisation des mécanismes de dégradation de l'interface Si/SiO2 des transistors MOS
dc.coverage	1 Disponible à la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale